隨著微電子行業(yè)的不斷發(fā)展，科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代人們對(duì)電子設(shè)備功率的需求不斷提高，高性能導(dǎo)熱材料引起了人們的廣泛關(guān)注。快速有效的冷卻能力和電子和電氣冷卻系統(tǒng)的升級(jí)已成為現(xiàn)代小型化電子產(chǎn)品制備工作的關(guān)鍵?，F(xiàn)階段，加入導(dǎo)熱性填料以提高聚合物基體的導(dǎo)熱性，解決新一代高功率、高集成、小電子器件的散熱問(wèn)題，已成為主流解決方案。此外，重要的是要知道固體被分為金屬、半導(dǎo)體和絕緣體，這三種物質(zhì)都有各自的導(dǎo)熱性特性。三者的導(dǎo)熱性能都是用熱導(dǎo)率來(lái)表示，同時(shí)熱導(dǎo)率也稱為“導(dǎo)熱系數(shù)”。是指在物質(zhì)內(nèi)部垂直在導(dǎo)熱性方位取2個(gè)距離1米，總面積為1平方米的平行面,，若2個(gè)平面的溫度差距1K，即在1秒左右由一個(gè)平面?zhèn)鬏斨亮硗庖粋€(gè)平面的熱量就設(shè)定為物質(zhì)的熱導(dǎo)率。片雜化結(jié)構(gòu)比單一填料體系具有更高的導(dǎo)熱性和更快的熱響應(yīng)性能。

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       金屬及碳材料具備很好的導(dǎo)熱性,但由于其導(dǎo)熱載體為電子,往往不能達(dá)到某些高精尖領(lǐng)域的使用要求。因?yàn)檩^高導(dǎo)電性往往容易使器件短路。此外,金屬除了具備較差的電絕緣性能外,還具有較大的比重,與輕薄化發(fā)展趨勢(shì)相悖。而部分以聲子與光子為導(dǎo)熱載體的金屬氧化物及陶瓷也能具有相對(duì)高的導(dǎo)熱能力,但是同樣存在比重大及難加工等問(wèn)題。高分子來(lái)源廣泛,種類(lèi)繁多,可根據(jù)具體使用要求選取化學(xué)穩(wěn)定性、耐腐蝕性、耐高低溫性能、溶解性能、機(jī)械強(qiáng)度的不同的高分子。然而,雖絕大多數(shù)聚合物具備良好的機(jī)械性、加工性及電絕緣等優(yōu)良性能,但由于其導(dǎo)熱載流子主要是聲子,熱導(dǎo)率通常很差(不超過(guò)0.5W(m·K)-1)。因此，本征高分子幾乎不能用于散熱領(lǐng)域。復(fù)合材料不僅保持了各組分的性能優(yōu)點(diǎn),而且通過(guò)組分間的協(xié)同補(bǔ)強(qiáng)作用，可以獲得單一組成材料所不能達(dá)到的綜合性能。因此，聚合物基導(dǎo)熱材料的制備是獲取各項(xiàng)性能優(yōu)異的導(dǎo)熱材料行之有效思路之一。

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      六方片狀氮化硼其平面內(nèi)機(jī)械強(qiáng)度可達(dá)500N/m，并具有優(yōu)異的耐高溫性。在空氣中抗氧化溫度為900℃，在真空中可達(dá)到2000℃。同時(shí)，h-BN也具有極高的導(dǎo)熱率，其中理論計(jì)算的氮化硼納米片（BNNS）的導(dǎo)熱率高達(dá)1700~2000W.m-1.K-1。更重要的是，h-BN具有優(yōu)良的絕緣性能。h-BN的帶隙為5.2eV，擊穿強(qiáng)度高達(dá)35kV/mm，可在同時(shí)需要絕緣和散熱的條件下使用，這是石墨烯無(wú)法比較的。因此在現(xiàn)階段上氮化硼是一種具有良好應(yīng)用價(jià)值和應(yīng)用前景的導(dǎo)熱填料。

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